TIM1213-4 TOSHIBA MICROWAVE POWER GaAs FET 4 Watt out

  • 30.00 EUR
  • Veröffentlichungsdatum: 24/03/2020
    • Steinmauern, Germany

High power = 36.5 dBm at 12.7 GHz to 13.2 GHz
High gain = 7.5 dB at 12.7 GHz to 13.2 GHz
Broadband internally matched
Hermetically sealed package
Datenblatt auf Anfrage , auch für 10 GHz geeignet.

Preis 30 € inkl. Versand in DL

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