Leistungstransistor P 216 D / П216Д
- 1.00 EUR
- Veröffentlichungsdatum: 11/06/2019
- Datum der Änderung: 11/06/2019
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- Brandenburg, Germany
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russ. Germanium-Leistungstransistor P 216 D / П216Д
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Werte siehe hier:
Present to you RUSSIAN, germanium, p-n-p, transistors P216D.
Type Designator: П216Д
Material of transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum collector power dissipation (Pc), W: 24
Maximum collector-base voltage |Ucb|, V: 50
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 50
Maximum emitter-base voltage |Ueb|, V: 15
Maximum collector current |Ic max|, A: 7.5
Maksimalna temperatura (Tj), °C: 75
Transition frequency (ft), MHz: 0.1
Collector capacitance (Cc), pF:
Forward current transfer ratio (hFE), min: 50...30
Quelle: https://picclick.com/P216D-%D0%9F216%D0%94-Lot-Of-2-Russian-Germanium-82981033014.html
E-Mail-Adresse: u.hermenau@gmx.de
Tel.: (033762) 7 18 81 (auch AB)
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